■大量使用 SRAM 替代 HBM—
力積電6770是贏家
力積電在 2026 年的營運展望中，市場普遍看好其從傳統代工轉向 AI 高階應用與記憶體結構性轉型帶來的利多。以下整理的關鍵發展動能與 SRAM 對其獲利的具體幫助：
1.DRAM/NAND 報價回升與產能滿載：
受惠於全球記憶體需求熱絡，
力積電的 12 吋記憶體產能已達滿載。法人預期隨記憶體價格上漲，
力積電採取的「隨價調整代工報價」模式將顯著提升 ASP（平均代工單價），有助於 2026 年營收成長上看 27%，並有望轉虧為盈。
2.國際合作案貢獻（SanDisk）：
力積電與 SanDisk 的外包合作案預計於 2026 年開始貢獻實質營收，這不僅穩定了稼動率，也強化了其在國際供應鏈的地位。
3.3D 堆疊封裝技術（WoW/CoW）：
力積電正積極布局高階 3D 封裝，將邏輯晶片與記憶體直接堆疊。這項技術預計在 2026 年進入放量階段，滿足雲端運算與高效能儲存模組的需求。
4.轉單效應與產品組合優化：
部分客戶（如 Navitas）的訂單轉入及對高壓製程（GaN、車用晶片）的佈局，雖然短期仍有虧損壓力，但長期而言使產品線更多元。
5.
力積電與
印度塔塔集團（Tata Group）旗下塔塔電子（Tata Electronics）的合作，是
印度打造半導體自主產業鏈的重要里程碑。這項合作並非傳統的「合資併購」，而是採取「Fab IP」（工廠智慧財產權）的技術授權模式。
合作模式：Fab IP 技術授權
不同於
台積電赴美或日設廠需自籌龐大資金，
力積電在
印度合作案中展現了獨特的商業模式：
技術輸出：
力積電提供建廠顧問、製程技術授權及員工培訓，不參與該廠的盈虧與營運管理。
收益來源：
力積電主要賺取技術轉讓費（IP fee）及後續的服務費。預計未來四年內將為
力積電帶來超過 200 億新台幣 的收入。
策略意義： 透過技術授權，
力積電在不承擔海外設廠高風險（如當地勞工、基建、地緣政治）的前提下，擴大全球影響力並搶占
印度龐大的內需市場商機。
二、 SRAM 對未來獲利的幫助：AI 運算的「秘密武器」
SRAM（靜態隨機存取記憶體）近期成為 AI 市場的焦點，主因是 AI 晶片龍頭 NVIDIA（
輝達） 與 AI 新創 Groq 的技術轉向，這對
力積電而言是重大的獲利機會。
1. 解決「記憶體牆」瓶頸
傳統 AI 晶片高度仰賴 HBM（高頻寬記憶體），但 HBM 成本極高且功耗大。SRAM 的特性是速度極快、功耗低，且能與處理器核心更緊密集成。在 LPU（語言處理器） 架構中，大量使用 SRAM 替代 HBM，可大幅提升推論（Inference）效率。
2. 推升邊緣運算（Edge AI）獲利
SRAM 對於「邊緣 AI」至關重要，例如自動駕駛、穿戴裝置等需要低延遲、省電的環境。
力積電提供的高效能 SRAM 代工服務，其毛利率優於傳統 DRAM，隨 AI 終端應用爆發，SRAM 的營收占比提升將直接改善獲利結構。
3. 技術溢價：邏輯與記憶體整合
力積電擁有同時代工邏輯晶片與記憶體的優勢。透過將 SRAM 內嵌（Embedded）或堆疊在邏輯晶片上，
力積電能提供「一站式」的 AI 晶片代工解決方案，這種
高技術壁壘的產品比單純的晶圓代工更具議價能力。
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總結與比較
項目 傳統記憶體 (DRAM/NAND) SRAM / AI 特色記憶體
未來動能 報價回升、週期性復甦 AI 運算結構性需求爆發
獲利貢獻 提升產能利用率 提高 ASP 與毛利率
力積電優勢
2Xnm 製程穩定、產能大
3D 堆疊封裝技術、客製化 ASIC